原位电化学干涉散射成像系统主要特点
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原位电化学干涉散射成像-共聚焦拉曼关联系统
高分辨、原位表征、特别的离子迁移观测解决方案
干涉散射成像,是基于显微成像技术拓展而来的,具有高分辨和高对比度的成像技术。其利用激光宽场照明,获得样品对激光的散射信号,再通过干涉方式对样品表面进行成像。由于干涉信号对样品表面的折射率变化异常敏感,因此能够以较高的空间分辨率对电化学充放电过程中所引起的颗粒表面的细微变化进行成像,并以高对比度反映充放电时离子化合物的形成、变化和迁移过程并分析其电化学机理。
该系统还结合了共聚焦显微拉曼成像技术,能够在样品同一位置原位实现干涉散射成像与共聚焦拉曼光谱的表征,从而综合表征充放电过程中材料的结构、成分等性质的变化,以及离子迁移的过程。
原位电化学干涉散射成像系统主要特点
• 特别的干涉散射成像模式,反映离子化合物的形成、迁移和分布。
• 可原位获得样品同一区域的干涉散射成像和拉曼光谱/mapping结果。
• 较高的空间分辨率(300nm 720nm波长)。
• 自动聚焦等自动化操作和数据采集功能,确保光路的稳定性,以及易用性。

原位电化学干涉散射成像系统应用领域
• 电化学、电池材料
• 二维材料等微纳米材料

Specifications
光谱范围 | 300-1050nm |
拉曼光谱分辨率 | <1cm-1 (532nm激发) |
拉曼截止波数: | <100cm-1 (532nm激发) |
干涉散射成像空间分辨率 | 300nm |
样品台 | X=50mm * Y=50mm,Z=20mm 步进精度优于 0.05μm,重复精度2μm |
特色功能 | 自动聚焦、原位干涉散射-拉曼光谱关联成像 |
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